光刻机，堪称工业领域的 “珠穆朗玛峰”，是众多科技强国梦寐以求想要攻克的设备。它的复杂程度超乎想象，涉及光学、物理学、机械、化学等多个领域的顶尖科学技术，全球没有任何一个国家能独立解决它所需的所有核心零部件。

在全球范围内，目前只有荷兰的 ASML 公司能够量产 EUV 光刻机。但 ASML 并非完全独立，它背后用到了大量美国技术，而且有美国资本的背书。这使得 ASML 的 EUV 光刻机不仅是荷兰的骄傲，更在一定程度上受到美国的影响和控制。

我国是全球最大的芯片需求国，每年在芯片进口上的花费巨大。如果能实现光刻机的自给自足，就能大幅减少对进口的依赖，彻底解决国内企业被 “卡脖子” 的问题。然而，现实却给了我们沉重一击。

早年间，我国曾派专家到 ASML 学习访问，可得到的却是 “就算给你们全套图纸，你们也造不出来” 的嘲讽。随着芯片战的打响，ASML 的 EUV 光刻机更是被严格管控。2018 年，中芯国际向 ASML 订购了一台 EUV 光刻机，时至今日，这台光刻机仍未到货。

这样的封锁和嘲讽，彻底点燃了国人攻克光刻机难题的决心。大家都明白，要实现光刻机的自给自足，不仅仅是制造出来那么简单，更难的是要规避 ASML 的技术专利，走出一条属于我们自己的道路。

在这场攻坚战中，哈工大扛起了大旗。2022 年，哈工大科研团队成功研制出光源样机，时隔一年，又完成了原型机的开发。值得一提的是，哈工大在光源方面选择的是 DPP（放电等离子体）路线，而 ASML 采用的是 LPP（激光等离子体）方案，这是两者的重要不同之处。

LPP 方案需要高能二氧化碳激光器，相关技术被德国通快公司牢牢掌握，我国若想在这条路上追赶，难度极大，需要耗费大量的时间、精力和资金。而 DPP 方案就像电动车对燃油车的弯道超车，虽然起步艰难，但能绕过专利墙，实现换道超车。

在光刻机领域，尤其是 EUV 光刻机中，核心子系统大部分都已有突破，比如双工件台、物镜基本都达到了 EUV 的标准，最难攻克的部分就是光源。哈工大在光源上的突破，无疑是迈出了关键的一步。

去年年底，哈工大科研团队完成了 “放电等离子体 13.5nm 的极紫外光源” 项目，并获得了当地科技创新成果转化大赛一等奖。这一成果意味着，中国终于有了国产 EUV 光刻机的 “种子”。

看似简单的光源突破，背后是科研团队付出的巨大努力。他们在零下 30℃的真空腔体中，用三年时间攻克了 127 项技术专利。仅电极材料的抗腐蚀涂层，就经历了 400 多次的配方调整。每一次实验，每一次调整，都凝聚着科研人员的心血和汗水。

ASML 的物镜供应商蔡司，其工程师在私下交流时说出了真心话：“中国人解决电极腐蚀问题的速度，比他们的预期快了至少 5 年。” 要知道，电极腐蚀是光源的大敌，ASML当年磨了十几年，中国只用几年就啃下来。这无疑是对中国科研团队努力的高度认可。

这不是偶然，举国之力在发力，因为除了哈工大之外，清华大学薛其坤团队搞稳态微聚束光源（SSMB），也完全避开传统路线；北航钻研“三元计算芯片”，能耗比传统芯片低60%。这些看似分散的突破，正拧成一股“组合拳”。

虽然目前我国的 EUV 光刻机与 ASML 的产品还有一些差距，部分技术仍然停留在实验室阶段，但中国速度从不让人失望，国内市场需求嗷嗷待哺，中科院等机构全力助攻，加上哈工大、清华的产学研联动，国产EUV光刻机落地只是时间问题。

回看航天史，长征五号失利后，咱们不也建成了空间站？芯片突围，注定是多线作战的持久战，但这一次，没人再敢说“造不出来”。

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